7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。
长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。
长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 产品（Y2BM 系列），侵犯了长江存储在美国提交的 11 项专利或专利申请。
2023 年 11 月，长江存储就曾在美起诉美光专利侵权，涉 8 项专利；2024 年 6 月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息。
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